標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能級(jí)硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素體含量的二次離子質(zhì)譜（SIMS）檢測(cè)方法。?本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)各元素體含量不隨深度變化、且不考慮補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能級(jí)單晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的體含量。各元素體含量的檢測(cè)上限均為0.2%（即＜1×10??20? atoms/cm?3），檢測(cè)下限分別為氧含量≥5×10??16? atoms/cm?3、碳含量≥1×10??16? atoms/cm?3、硼含量≥1×10??14? atoms/cm?3和磷含量≥2×10??14? atoms/cm?3。四種元素體含量的測(cè)定可使用配有銫一次離子源的SIMS儀器一次完成。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 32281-2015

標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：太陽(yáng)能級(jí)硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測(cè)定 二次離子質(zhì)譜法

英文名稱(chēng)：Test method for measuring oxygen,carbon,boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock—Secondary ion mass spectrometry

標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2015-12-10

實(shí)施日期：2017-01-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.30金屬材料化學(xué)分析

起草單位：江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司、中鋁寧夏能源集團(tuán)有限公司、寧夏銀星多晶硅有限責(zé)任公司、洛陽(yáng)鴻泰半導(dǎo)體有限公司、新特能源股份有限公司

歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.